IGBT-транзистор. Биполярный транзистор с изолированным затвором

Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT)  — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

По своей внутренней структуре БТИЗ представляет собой каскадное включение двух электронных ключей: входной ключ на полевом транзистореуправляет мощным оконечным ключом на биполярном транзисторе. Управляющий электрод называется затвором, как у полевого транзистора, два других электрода — эмиттером и коллектором, как у биполярного. Такое составное включение полевого и биполярного транзисторов позволяет сочетать в одном устройстве достоинства обоих типов полупроводниковых приборов.

В настоящее время транзисторы IGBT выпускаются, как правило, в виде модулей в прямоугольных корпусах с односторонним прижимом и охлаждением (“Mitsubishi”, “Siemens”, “Semikron” и др.) и таблеточном исполнении с двухсторонним охлаждением (“Toshiba Semiconductor Group”). Модули с односторонним охлаждением выполняются в прочном пластмассовом корпусе с паяными контактами и изолированным основанием. Все электрические контакты находятся в верхней части корпуса. Отвод тепла осуществляется через основание.

Ток управления IGBT мал, поэтому цепь управления – драйвер конструктивно компактна. Наиболее целесообразно располагать цепи драйвера в непосредственной близости от силового ключа. В модулях IGBT драйверы непосредственно включены в их структуру. Интеллектуальные транзисторные модули (ИТМ), выполненные на IGBT, также содержат  интеллектуальные устройства защиты от токов короткого замыкания, системы диагностирования, обеспечивающие защиту от исчезновения управляющего сигнала, одновременной проводимости в противоположных плечах силовой схемы, исчезновения напряжения источника питания и других аварийных явлений. В структуре ИТМ на IGBT предусматривается в ряде случаев система управления с широтно-импульсной модуляцией (ШИМ) и однокристальная ЭВМ. Во многих модулях имеется схема активного фильтра для коррекции коэффициента мощности и уменьшения содержания высших гармонических в питающей сети.

Силовые IGBT модули производства Mitsubishi Electric

Mitsubishi Electric производит IGBT модули различных конструкций и модификаций в диапазоне токов от 15 до 1000А и с рабочим напряжением от 250 до 1400В. Кроме обычных одиночными, полумостовыми, мостовыми и трехфазнных модулей Mitsubishi выпускает интеллектуальные IGBT модули с различными дополнительными функциями. IGBT модули производства Mitsubishi применяются для управления двигателями постоянного и переменного тока. В устройствах бесперебойного питания.

Применение IGBT-модулей

Современные IGBT-модули находят сегодня широкое применение при создании неуправляемых и управляемых выпрямителей, автономных инверторов для питания двигателей постоянного и переменного тока средней мощности, преобразователей индукционного нагрева, сварочных аппаратов, источников бесперебойного питания, бытовой и студийной техники.

Особую роль IGBT -модули играют в развитии железнодорожного транспорта. Применение этих перспективных приборов в тяговом преобразователе позволило повысить частоту переключения, упростить схему управления, минимизировать загрузку сети гармониками и обеспечить предельно низкие потери в обмотках трансформатора и дросселей.